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MEMS技术是u-TAS发展的基础，也是微流控芯片加工中最广泛采用的方法。MEMS加工技术包括了常规平面工艺中的光刻、氧化、扩散、化学气相沉积(chemical vapor deposi

技术节点的每次进步都要求对制造工艺变化进行更严格的控制。最先进的工艺现在可以达到仅7nm的fin宽度，比30个硅原子稍大一点。半导体制造已经跨越了从纳米级到原子

从广义来讲，MEMS是指集微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路、接口电路、通信和电源于一体的完整微型机电系统。它可以把运动、光、声、热、磁等自然界信

CMOS工艺流程介绍1.衬底选择：选择合适的衬底，或者外延片，本流程是带外延的衬底；2. 开始：Pad oxide氧化，如果直接淀积氮化硅，氮化硅对衬底应力过大，容易出问题；接着

摘要：研究一种实现背面抛光的方法，在制绒工序中以氮化硅为掩膜，对金刚线切割单晶硅片进行单面制绒，该掩膜在制绒工序中被HF 酸去除。未制绒面作为背钝化电池背抛

碳化硅元器件的昨天、今天、明天！来源：宽禁带半导体技术创新联盟【导读】碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大

SiC的应用始于2000年，最早在PFC中采用了SiC JBS二极管。随后是在光伏行业中，开始使用SiC二极管和FET。但是，最近在EV车载充电器和DC-DC转换器相关领域应用的激增，

随着集成电路工艺制程技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，半导体工艺的特征尺寸不断缩小，晶体管的栅、源和漏有源区

碳化硅(SiC)材料是目前世界上公认的绿色高效的新型半导体材料，具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高饱和电子漂移速度、抗辐射能力强以及化学性质稳定等优势

薄膜沉积是集成电路制造过程中必不可少的环节，传统的薄膜沉积工艺主要有 PVD、 CVD 等气相沉积工艺：PVD（物理气相沉积）：在真空条件下，采用物理方法，将材料源（固体